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深圳市元英电子有限公司
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产品信息
W25Q32JVSSIQTR发光二极管
W25Q32JVSSIQTR发光二极管概述
W25Q32JV(32M 位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q 系列提供远远超出普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI (XIP) 执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件采用 2.7V 至 3.6V 电源供电,断电时电流消耗低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
W25Q32JVSSIQTR发光二极管特性
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32 MB串行闪存,具有统一的4 KB扇区和双路/四路SPI
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单路/双路/四路SPI操作
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统一的4 KB可擦除扇区和32 KB/64 KB可擦除块
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16,384页(256字节),页编程时间为0.7 mS(典型值)
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连续读取,8/16/32/64字节包绕
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时钟工作频率高达133 MHz(双路/四路SPI时分别为266/532 MHz)
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2.7至3.6 V电源
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4mA有源读取电流、<1μA断电电流
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-40°C至+85°C工作范围
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编程/擦除暂停/恢复、暂停状态位
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工厂编程只有一个ID
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具有双路/四路SPI的电子ID,为顶部或底部块提供硬件和软件写入保护
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易失和非易失状态寄存器位
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锁定和OTP保护
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串行闪存可发现参数(SFDP)
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3 x 256字节安全寄存器,带OTP锁
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补充阵列保护位
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单个块/扇区写入保护
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软件重置和可配置硬件/复位引脚
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可编程输出驱动器强度
存储器大小 | 32Mbit | 长度 | 5.38mm |
接口类型 | SPI | 高度 | 1.91mm |
封装类型 | SOIC | 宽度 | 5.38mm |
引脚数目 | 8 | 尺寸 | 5.38 x 5.38 x 1.91mm |
组织 | 4M x 8 | max工作温度 | +85 °C |
安装类型 | 表面贴装 | min工作温度 | -40 °C |
min工作电源电压 | 2.7 V | 字组数目 | 4M |
max工作电源电压 | 3.6 V | 每字组的位元数目 | 8Bit |
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